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罗姆的肖特基二极管是兼备低VF，低IR，高ESD强度的二极管
SiC（碳化硅）肖特基二极管
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量，同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。
第2代 Sic MOSFET
SCH2080KE - N 0 106 18 TO-247
SCT2080KE - N 0 106 18
SCT2080KEAHR YES N 0 106 18
SCT2160KE - N 60 62 18
SCT2160KEAHR YES N 60 62 18
SCT2280KE - N 80 35 18
SCT2280KEAHR YES N 80 35 18
SCT2450KE - N 0 27 18
SCT2450KEAHR YES N 0 27 18
SCT2750NY - N 1700 5.9 57 TO-268-2L
SCT2H12NY - N 0 14 18
SCT2H12NZ - 1700 3.7 35 TO-3PFM
第3代 Sic MOSFET
SCT3017AL - N 7 172 18 TO-247N
SCT3022AL - N 133 18
SCT3030AL - N 104 18
SCT3060AL - N 58 18
SCT3080AL - N 48 18
SCT3120AL - N 0 38 18
SCT2120AF - N 0 61 18 TO-220AB
SCT3022KL - N 2 178 18 TO-247N
SCT3030KL - N 0 131 18
SCT3040KL - N 0 107 18
SCT3080KL - N 0 60 18
SCT3160KL - N 60 42 18</a></a>
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